您好，歡迎來到易龍商務網！
發布時間：2021-10-19 03:58
【廣告】
光刻膠介紹
光刻膠自1959年被發明以來一直是半導體核心材料，隨后被改進運用到PCB板的制造，并于20世紀90年代運用到平板顯示的加工制造。終應用領域包括消費電子、家用電器、汽車通訊等。
光刻工藝約占整個芯片制造成本的35%，耗時占整個芯片工藝的40%~60%，是半導體制造中核心的工藝。
以半導體光刻膠為例，在光刻工藝中，光刻膠被均勻涂布在襯底上，經過曝光(改變光刻膠溶解度)、顯影(利用顯影液溶解改性后光刻膠的可溶部分)與刻蝕等工藝，將掩膜版上的圖形轉移到襯底上，形成與掩膜版完全對應的幾何圖形。
光刻技術隨著IC集成度的提升而不斷發展。江蘇博硯電子科技有限公司董事長宗健表示，光刻膠要真正實現國產化，難度很大。為了滿足集成電路對密度和集成度水平的更高要求，半導體用光刻膠通過不斷縮短曝光波長以極限分辨率，世界芯片工藝水平目前已跨入微納米級別，光刻膠的波長由紫外寬譜逐步至g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、 ArF（193nm）、F2（157nm），以及達到EUV(<13.5nm)線水平。
目前，半導體市場上主要使用的光刻膠包括 g 線、i 線、KrF、ArF四類光刻膠，其中，g線和i線光刻膠是市場上使用量較大的。KrF和ArF光刻膠核心技術基本被日本和美國企業所壟斷。
光刻膠國內研發現狀
“造成與國際水平差距的原因很多。呼吸器：無論何時在工作環境下呼吸保護必須遵循中國職業安全健康管理局標準的規定和ANSI美國國家標準學會Z88。過去由于我國在開始規劃發展集成電路產業上，布局不合理、不完整，特別是生產加工環節的投資，而忽視了重要的基礎材料、裝備與應用研究。目前，整個產業是中間加工環節強，前后兩端弱，核心技術至今被TOK、JSR、住友化學、信越化學等日本企業所壟斷。
光刻膠的主要技術指標有解析度、顯影時間、異物數量、附著力、阻抗等。每一項技術指標都很重要，必須全部指標達到才能使用。因此，國外企業在配方、生產工藝技術等方面，對中國長期保密。中國的研發技術有待進一步發展
NR77-5000PY
PR1-2000A1 試驗操作流程
PR1-2000A1的厚度范圍可以做到 1500到3500nm，如下以膜厚2900nm為列；
1,靜態滴膠后以1300轉/分速度持續40秒。同時必須需要在1秒內達到從0轉/分到1300轉/分的升速度；
2，前烘：熱板120度120秒；
3，冷卻至室溫；
4，用波長為365,406,436的波長曝光，
5，在溫度為20-25度，使用RD6浸泡式、噴霧、顯影 ；
6，去除光刻膠，可使用CH3COCH3，RR5,RR41等。
光刻膠
光增感劑
是引發助劑，能吸收光能并轉移給光引發劑，或本身不吸收光能但協同參與光化學反應，起到提高引發效率的作用。
光致產酸劑
吸收光能生成酸性物質并使曝光區域發生酸解反應，用于化學增幅型光刻膠。
助劑
根據不同的用途添加的顏料、固化劑、分散劑等調節性能的添加劑。
主要技術參數
分辨率（resolution）
是指光刻膠可再現圖形的小尺寸。一般用關鍵尺寸來（CD，CriticalDimension）衡量分辨率。
