CCD傳感器廠家全國(guó)發(fā)貨 研新

CCD是電荷耦合器件(charge-coupled device), 它使用一種高感光度的半導(dǎo)體材料（p-Si）制成，能把光轉(zhuǎn)變成電荷。在一個(gè)用于感光的CCD中，有一個(gè)光敏區(qū)域（硅的外延層），和一個(gè)由移位寄存器制成的傳感區(qū)域。圖像通過透鏡投影在一列電容上（光敏區(qū)域），導(dǎo)致每一個(gè)電容都積累一定的電荷，而電荷的數(shù)量則正比于該處的入射光強(qiáng)。在柵電極（G）中，施加正電壓會(huì)產(chǎn)生勢(shì)阱（黃），并把電荷包（電子，藍(lán)）收集于其中。

假設(shè)電荷存儲(chǔ)在電極①(加有10V電壓)下面的勢(shì)阱中，如圖2(a)所示，加在CCD所有電極上的電壓，通常都要保持在高于某一臨界值電壓Vth，Vth稱為CCD閾值電壓，設(shè)Vth=2V。所以每個(gè)電極下面都有一定深度的勢(shì)阱。顯然，電極①下面的勢(shì)阱深，如果逐漸將電極②的電壓由2V增加到10V，這時(shí)，①、②兩個(gè)電極下面的勢(shì)阱具有同樣的深度，并合并在一起，原先存儲(chǔ)在電極①下面的電荷就要在兩個(gè)電極下面均勻分布，(b)和(c)所示，然后再逐漸將電極下面的電壓降到2V，使其勢(shì)阱深度降低，(d)和(e)所示，這時(shí)電荷全部轉(zhuǎn)移到電極②下面的勢(shì)阱中，此過程就是電荷從電極①到電極②的轉(zhuǎn)移過程。如果電極有許多個(gè)，可將其電極按照1、4、7…，2、5、8…和3、6、9…的順序分別連在一起，加上一定時(shí)序的驅(qū)動(dòng)脈沖，即可完成電荷從左向右轉(zhuǎn)移的過程。用3相時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)的CCD稱為3相CCD。

對(duì)某像素掃描并讀出其信號(hào)電荷之后，下一次掃描后讀出信號(hào)仍受上次遺留信號(hào)電荷影響的現(xiàn)象叫殘像。等效噪聲曝光量:產(chǎn)生與暗輸出(電壓)等值時(shí)的曝光量稱為傳感器的等效噪聲曝光量。CMOS針對(duì)CCD的優(yōu)勢(shì)就是非常省電，不像由二極管組成的CCD，CMOS 電路幾乎沒有靜態(tài)電量消耗，只有在電路接通時(shí)才有電量的消耗。

由于CMOS傳感器的每個(gè)感光二極管都需搭配一個(gè)放大器，而放大器屬于模擬電路，很難讓每個(gè)放大器所得到的結(jié)果保持一致，因此與只有一個(gè)放大器放在芯片邊緣的CCD傳感器相比，CMOS傳感器的噪聲就會(huì)增加很多，影響圖像品質(zhì)。例如，市面上CMOS傳感器可達(dá)到210萬象素的水平(OmniVision的 OV2610，2002年6月推出)，其尺寸為1/2英寸，象素尺寸為4.25μm，但在2002年12月推出了ICX452，其尺寸與 OV2610相差不多(1/1.8英寸)，但分辨率卻能高達(dá)513萬象素，象素尺寸也只有2.78μm的水平。