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發布時間：2021-10-21 05:47
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光刻膠介紹
光刻膠介紹
光刻膠(又稱光致抗蝕劑)，是指通過紫外光、準分子激光、電子束、離子束、x射線等光源的照射或輻射，其溶解度發生變化的耐蝕刻材料。彩色薄膜少了光刻膠，產生不了絢麗的畫面顯示器是人與機器溝通的重要界面。光刻膠具有光化學敏感性，其經過曝光、顯影、刻蝕等工藝，可以將設計好的微細圖形從掩膜版轉移到待加工基片。因此光刻膠微細加工技術中的關鍵性化工材料，被廣泛應用于光電信息產業的微細圖形線路的加工制作。生產光刻膠的原料包括光引發劑（包括光增感劑、光致產酸劑）、光刻膠樹脂、單體和其他助劑等。
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2,涂膠，在硅片覆蓋，旋轉，離心力，在硅片表面通過旋轉的光刻膠，工藝參數3000-6000rpm 膠膜厚0.5-1um， 
3,前烘，通過在較高溫度下進行烘焙，使存底表面涂覆的光刻膠膜的溶劑揮發，溶劑將至5%左右，同時增強與襯底的粘附性。前烘方法：熱平板傳導，干燥循環熱風提高附著力，紅外線輻射。
烘箱前烘條件：90-100度，10-20min，前烘時間與溫度應適當，如太長或溫度太高，光刻膠層變脆而附著力下降，而前烘不足會影響后面的顯影效果。
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5,顯影液
在已經曝光的硅襯底膠面噴淋顯影液，或將其浸泡在顯影液中，正膠是曝光區、而負膠是非曝光區的膠膜溶入顯影液，膠膜中的潛影顯現出來，形成三維圖像。
顯影完成后通常進行工藝線的顯影檢驗，通常是在顯微鏡下觀察顯影效果，顯影是否徹底、光刻膠圖形是否完好。
影響顯影的效果主要因素：
1，曝光時間，2前烘溫度和時間，3光刻膠膜厚，4顯影液濃度溫度，5顯影液的攪動情況。
