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              磁控濺射沉積設(shè)備價(jià)格擇優(yōu)推薦 沈陽(yáng)鵬程有限公司

              發(fā)布時(shí)間:2021-09-07 15:39  

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              小型磁控濺射儀的優(yōu)勢(shì)

              設(shè)備主要優(yōu)勢(shì)    

              實(shí)用性:設(shè)備集成度高,結(jié)構(gòu)緊湊,占地面積小,可以滿足客戶實(shí)驗(yàn)室空間不足的苛刻條件;通過(guò)更換設(shè)備上下法蘭可以實(shí)現(xiàn)磁控與蒸發(fā)功能的轉(zhuǎn)換,實(shí)現(xiàn)一機(jī)多用;

              方便性:設(shè)備需要拆卸的部分均采用即插即用的方式,接線及安裝調(diào)試簡(jiǎn)單,既保證了設(shè)備使用方便又保證了設(shè)備的整潔;

              高性價(jià)比:設(shè)備主要零部件采用進(jìn)口或國(guó)內(nèi)品牌,以國(guó)產(chǎn)設(shè)備的價(jià)格擁有進(jìn)口設(shè)備的配置,從而保證了設(shè)備的質(zhì)量及性能;

              安全性:獨(dú)立開(kāi)發(fā)的PLC 觸摸屏智能操作系統(tǒng)在傳統(tǒng)操作系統(tǒng)的基礎(chǔ)上新具備了漏氣自檢與提示、通訊故障自檢、保養(yǎng)維護(hù)提示等功能,保證了設(shè)備的使用安全性能;

              期望大家在選購(gòu)磁控濺射產(chǎn)品時(shí)多一份細(xì)心,少一份浮躁,不要錯(cuò)過(guò)細(xì)節(jié)疑問(wèn)。想要了解更多磁控濺射產(chǎn)品的相關(guān)資訊,歡迎撥打圖片上的熱線電話?。?!



              磁控濺射設(shè)備的主要用途

              沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司擁有先進(jìn)的技術(shù),我們都以質(zhì)量為本,信譽(yù)高,我們竭誠(chéng)歡迎廣大的顧客來(lái)公司洽談業(yè)務(wù)。如果您對(duì)磁控濺射產(chǎn)品感興趣,歡迎點(diǎn)擊左右兩側(cè)的在線客服,或撥打咨詢電話。

              (1)各種功能性薄膜:如具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜。例如,低溫沉積氮化硅減反射膜,以提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

              (2)裝飾領(lǐng)域的應(yīng)用,如各種全反射膜及半透明膜等,如手機(jī)外殼,鼠標(biāo)等。

              (3) 在微電子領(lǐng)域作為一種非熱式鍍膜技術(shù),主要應(yīng)用在化學(xué)氣相沉積(CVD)或金屬有機(jī)

              (4)化學(xué)氣相沉積(CVD)生長(zhǎng)困難及不適用的材料薄膜沉積,而且可以獲得大面積非常均勻的薄膜。

              (5) 在光學(xué)領(lǐng)域:中頻閉合場(chǎng)非平衡磁控濺射技術(shù)也已在光學(xué)薄膜(如增透膜)、低輻射玻璃和透明導(dǎo)電玻璃等方面得到應(yīng)用。特別是透明導(dǎo)電玻璃廣泛應(yīng)用于平板顯示器件、太陽(yáng)能電池、微波與射頻屏蔽裝置與器件、傳感器等。

              (6)在機(jī)械加工行業(yè)中,表面功能膜、超硬膜,自潤(rùn)滑薄膜的表面沉積技術(shù)自問(wèn)世以來(lái)得到長(zhǎng)足發(fā)展,能有效的提高表面硬度、復(fù)合韌性、耐磨損性和抗高溫化學(xué)穩(wěn)定性能,從而大幅度地提高涂層產(chǎn)品的使用壽命。

              磁控濺射除上述已被大量應(yīng)用的領(lǐng)域,還在高溫超導(dǎo)薄膜、鐵電體薄膜、巨磁阻薄膜、薄膜發(fā)光材料、太陽(yáng)能電池、記憶合金薄膜研究方面發(fā)揮重要作用。



              自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)概述

              帶有水冷或者加熱(可加熱到700度)功能,大到6'旋轉(zhuǎn)平臺(tái),可支持到4個(gè)偏軸平面磁控管。想要了解更多磁控濺射產(chǎn)品的相關(guān)資訊,歡迎撥打圖片上的熱線電話。系統(tǒng)配套渦輪分子泵,極限真空可達(dá)10-7 Torr,15分鐘內(nèi)可以達(dá)到10-6 Torr的真空。通過(guò)調(diào)整磁控管與基片之間的距離,可以獲得想要的均勻度和沉積速度。

              帶有14”立方形不銹鋼腔體,4個(gè)2”的磁控管,DC直流和RF射頻電源。 在選配方面,350 l/s渦輪分子泵,額外的磁控管和襯底加熱功能。

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