屏蔽室屏效測(cè)試擇優(yōu)推薦

電磁屏蔽體的效能

屏蔽體的屏蔽效能可用屏蔽系數(shù)或屏蔽衰減來表示。在絕大多數(shù)情況下，屏蔽體可由銅、鋁、鋼等金屬制成，但對(duì)于恒定和極低頻磁場(chǎng)，也可采用鐵氧體等材料作為屏蔽體。在空間防護(hù)區(qū)內(nèi)，有屏蔽體存在時(shí)的場(chǎng)強(qiáng)（E0或H0）與無屏蔽體存在時(shí)的場(chǎng)強(qiáng)（E或H）的比值，即E0/H0或E/H就稱為屏蔽系數(shù)。屏蔽系數(shù)愈小，說明屏蔽效果愈好。屏蔽效果也可用屏蔽衰減來表示，屏蔽衰減代表干擾場(chǎng)強(qiáng)通過屏蔽體受到的衰減值。屏蔽衰減可由或求得-單位分貝（dB）。屏蔽衰減值越大，屏蔽效果越好。

電磁屏蔽

所謂電磁屏蔽就是利用屏蔽體對(duì)電磁波產(chǎn)生衰減的作用。如前所述，現(xiàn)在的屏蔽室要作到不能從屏蔽室內(nèi)部泄漏出電磁波，還要能屏蔽電磁波從外面進(jìn)入。這種作用的大小用屏蔽效能來度量。用屏蔽體將元部件、電路、組合件、電纜或整個(gè)系統(tǒng)的干擾源包圍起來，防止干擾電磁場(chǎng)向外擴(kuò)散；用屏蔽體將接收電路、設(shè)備或系統(tǒng)包圍起來，防止它們受到外界電磁場(chǎng)的影響。

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在工頻（50Hz）時(shí)，銅中的d=9.45mm，鋁中的d=11.67mm。電磁屏蔽工程中，實(shí)際的輻射的干擾源大致分為兩類:類似于對(duì)稱振子天線的非閉合載流導(dǎo)線輻射源和類似于變壓器繞組的閉合載流導(dǎo)線輻射源。顯然，采用銅、鋁已很不適宜了，如用鐵，則d=0.172mm，這時(shí)應(yīng)采用鐵磁材料。因?yàn)樵阼F磁材料中電磁場(chǎng)衰減比銅、鋁中大得多。又因是低頻，無需考慮Q值問題?？梢?，在低頻情況下，電磁屏蔽就轉(zhuǎn)化為靜磁屏蔽。電磁屏蔽和靜電屏蔽有相同點(diǎn)也有不同點(diǎn)。相同點(diǎn)是都應(yīng)用高電導(dǎo)率的金屬材料來制作；不同點(diǎn)是靜電屏蔽只能消除電容耦合，防止靜電感應(yīng)，屏蔽必須接地。而電磁屏蔽是使電磁場(chǎng)只能透入屏蔽體一薄層，借渦流消除電磁場(chǎng)的干擾，這種屏蔽體可不接地。但因用作電磁屏蔽的導(dǎo)體增加了靜電耦合，因此即使只進(jìn)行電磁屏蔽，也還是接地為好，這樣電磁屏蔽也同時(shí)起靜電屏蔽作用。

電磁屏蔽室

電磁屏蔽室就是利用屏蔽材料阻隔或削弱被屏蔽區(qū)域與外界的電磁能量傳播。為此，目前適用于一般建筑物的屏蔽技術(shù)就有必要解決只允許需要頻率的電磁波通過，對(duì)該頻以外的電磁波進(jìn)行屏蔽的技術(shù)問題。電磁屏蔽的原理是利用屏蔽體對(duì)電磁能流的反射、吸收和引導(dǎo)，它與屏蔽結(jié)構(gòu)表面和屏蔽體內(nèi)部產(chǎn)生的電荷、電流與極化現(xiàn)象密切相關(guān)。電磁屏蔽室按照其原理分為電場(chǎng)屏蔽（靜電屏蔽和交變電場(chǎng)屏蔽）、磁場(chǎng)屏蔽（低頻磁場(chǎng)和高頻磁場(chǎng)屏蔽）和電磁場(chǎng)屏蔽（電磁波的屏蔽）。通常所說的電磁屏蔽室是指后一種，就是對(duì)電場(chǎng)和磁場(chǎng)同時(shí)進(jìn)行屏蔽。

按照屏蔽作用原理，屏蔽體對(duì)屏蔽效能的貢獻(xiàn)分為3部分：

（1）屏蔽體表面因阻抗失配引起的反射損耗；

（2）電磁波在屏蔽材料內(nèi)部傳輸時(shí)，電磁能量被吸收引起傳輸損耗或吸收損耗；

（3）電磁波在屏蔽材料內(nèi)壁面之間多次反射引起的多次反射損耗。

由此可以得到影響材料屏蔽效能的3個(gè)基本因素，即材料的電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率及材料厚度。電磁屏蔽導(dǎo)電漆就是用導(dǎo)電金屬粉末添加于特定的樹脂原料中以制成能夠噴涂的的油漆涂料。這也是屏蔽材料研究本身所必須關(guān)注的問題和突破口。當(dāng)然，對(duì)于電磁屏蔽體結(jié)構(gòu)，其電磁屏蔽室作用還與結(jié)構(gòu)、形狀、氣密性等有關(guān)，對(duì)于具體問題，還需要考慮被屏蔽的電磁波頻率、場(chǎng)源性質(zhì)等。