CCD傳感器報(bào)價(jià)貨源充足「多圖」

雖然他們的術(shù)語確實(shí)有所不同，但許多IC制造商要么調(diào)整現(xiàn)有的產(chǎn)品線，要么創(chuàng)造全新的產(chǎn)品來解決傳感器融合任務(wù)。該處理由專用控制器芯片完成，該芯片可以被識(shí)別為MCU，傳感器集線器或傳感器融合處理器。我們已經(jīng)看到這種技術(shù)應(yīng)用于智能手機(jī)，活動(dòng)監(jiān)視器和其他設(shè)備的消費(fèi)市場(chǎng)。技術(shù)的融合幸運(yùn)的是，正如他們?cè)陔娮赢a(chǎn)品的其他領(lǐng)域所做的那樣，許多IC制造商已經(jīng)承擔(dān)了繁重工作的任務(wù)。借助現(xiàn)成的傳感器融合和傳感器集線器芯片，現(xiàn)在可以有效地連接各種數(shù)字傳感器以及其他路徑。創(chuàng)建自己的算法的負(fù)擔(dān)已經(jīng)消除。

CCD是電荷耦合器件(charge-coupled device), 它使用一種高感光度的半導(dǎo)體材料（p-Si）制成，能把光轉(zhuǎn)變成電荷。在一個(gè)用于感光的CCD中，有一個(gè)光敏區(qū)域（硅的外延層），和一個(gè)由移位寄存器制成的傳感區(qū)域。圖像通過透鏡投影在一列電容上（光敏區(qū)域），導(dǎo)致每一個(gè)電容都積累一定的電荷，而電荷的數(shù)量則正比于該處的入射光強(qiáng)。在柵電極（G）中，施加正電壓會(huì)產(chǎn)生勢(shì)阱（黃），并把電荷包（電子，藍(lán)）收集于其中。

CCD是由許多個(gè)光敏像元按一定規(guī)律排列組成的。每個(gè)像元就是一個(gè)MOS電容器(大多為光敏二極管)，它是在P 型Si襯底表面上用氧化的辦法生成1層厚度約為1000A～1500A的SiO2,再在SiO2表面蒸鍍一金屬層(多晶硅)，在襯底和金屬電極間加上1個(gè)偏置電壓，就構(gòu)成1個(gè)MOS電容器。當(dāng)有1束光線投射到MOS電容器上時(shí)，光子穿過透明電極及氧化層，進(jìn)入P型Si襯底，襯底中處于價(jià)帶的電子將吸收光子的能量而躍入導(dǎo)帶。光子進(jìn)入襯底時(shí)產(chǎn)生的電子躍遷形成電子－空穴對(duì)，電子－空穴對(duì)在外加電場(chǎng)的作用下，分別向電極的兩端移動(dòng)，這就是信號(hào)電荷。這些信號(hào)電荷儲(chǔ)存在由電極形成的“勢(shì)阱”中。

暗輸出特性：暗輸出又稱無照輸出，系指無光像信號(hào)照射時(shí)，傳感器仍有微小輸出的特性，輸出來源于暗〔無照)電流。單位輻射照度產(chǎn)生的輸出光電流表示固態(tài)圖象傳感器的靈敏度，它主要與固態(tài)圖像傳感器的像元大小有關(guān)。飽和曝光量以上的過亮光像會(huì)在象素內(nèi)產(chǎn)生與積蓄起過飽和信號(hào)電荷，這時(shí)，過飽和電荷便會(huì)從一個(gè)像素的勢(shì)阱經(jīng)過襯底擴(kuò)散到相鄰像素的勢(shì)阱。這樣，再生圖像上不應(yīng)該呈現(xiàn)某種亮度的地方反而呈現(xiàn)出亮度，這種情況稱為彌散現(xiàn)象。