肖特基二極管的作用服務為先,強元芯電子有限公司

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了解了肖特基二極管的基本原理，那你知道肖特基勢壘二極管的內部結構是怎樣的嗎？接下來就由ASEMI專業技術工程師為您解析這一問題。

典型的肖特基整流管的內部電路結構是以N型半導體為基片，在上面形成用shen作摻雜劑的N-外延層。陽極使用鉬或鋁等材料制成阻檔層。用二氧化硅(SiO2)來消除邊緣區域的電場，提高管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態電阻，其摻雜濃度較H-層要高100%倍。

根據萬用表示數分析，肖特基二極管測試結論如下（其中①②③為肖特基二極管自左而右的三只引腳編碼）:

一，根據①-②、③-②間均可測出正向電阻，判定被測管為共陰對管，①、③腳為兩個陽極，②腳為公共陰極。

二，因①-②、③-②之間的正向電阻只幾歐姆，而反向電阻為無窮大，故具有單向導電性。

三，內部兩只肖特基二極管的正向導通壓降分別為0.315V、0.33V，均低于手冊中給定的允許值VFM(0.55V)。

Schottky Barrier Diode:肖特基勢壘二極管，簡稱：SB,比如：SB107,SB1045CT……

　　Schottky Barrier Diode:也有簡寫為：SBD來命名產品型號前綴的。但SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬-半導體結原理制作的。

　　因此，SBD也稱為金屬-半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。