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發布時間：2021-09-03 14:10
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光刻膠市場
我國光刻膠市場規模2015年已達51.7億元，同比增長11%，高于國際市場增速，但全球占比仍不足15%，發展空間巨大。2015年我國光刻膠產量為9.75萬噸，而需求量為10.12萬噸，依照需求量及產量增速預計，未來仍將保持供不應求的局面。據智研咨詢估計，得益于我國平面顯示和半導體產業的發展，我國光刻膠市場需求，在2022年可能突破27.2萬噸。過去由于我國在開始規劃發展集成電路產業上，布局不合理、不完整，特別是生產加工環節的投資，而忽視了重要的基礎材料、裝備與應用研究。在光刻膠生產種類上，我國光刻膠廠商主要生產PCB光刻膠，而LCD光刻膠和半導體光刻膠生產規模較小，相關光刻膠主要依賴進口。放眼國際市場，光刻膠也主要被美國Futurrex 的光刻膠、日本合成橡膠（JSR）、東京應化（TOK）、住友化學、美國杜邦、德國巴斯夫等化工寡頭壟斷。
彩色薄膜少了光刻膠，產生不了絢麗的畫面
顯示器是人與機器溝通的重要界面。光刻膠是整個光刻工藝的重要部分，也是國際上技術門檻較高的微電子化學品之一，主要應用在集成電路和平板顯示兩大產業。光刻技術決定了集成電路的集成度，技術節點的推進和實現。
章宇軒介紹,我們在日常工作生活中，之所以能從顯示屏幕上看到色彩斑斕的畫面，就是離不開屏幕中厚度只有2μm、卻占面板成本16％的一層彩色薄膜。然而，彩色薄膜顏色的產生，必須由光刻膠來完成。
LCD是非主動發光器件，其色彩顯示必須由本身的背光系統或外部的環境光提供光源，通過驅動器與控制器形成灰階顯示，再利用彩色濾光片產生紅、綠、藍三基色，依據混色原理形成彩色顯示畫面。
其中，根據顏色的不同，可以將光刻膠分為黑色、紅色、綠色、藍色四種。彩色濾光片的制作就是在玻璃基板上應用黑色光刻膠制作黑色矩陣，再應用紅、綠、藍光刻膠制作三原色像素。
光刻膠去除
半導體器件制造技術中，通常利用光刻工藝將掩膜板上的掩膜圖形轉移到半導體結構表面的光刻膠層中。通常光刻的基本工藝包括涂膠、曝光和顯影等步驟。
在現有技術中，去除光刻膠層的方法是利用等離子體干法去膠。將帶有光刻膠層的半導體結構置于去膠機內，在射頻電壓的能量的作用下，灰化氣體被解離為等離子體。所述等離子體和光刻膠發生反應，從而將光刻膠層去除。
而在一些半導體器件設計時，考慮到器件性能要求，需要對特定區域進行離子注入，使其滿足各種器件不同功能的要求。2μmResistThicknessNR71-1000PY0。一部分閃存產品前段器件形成時，需要利用前面存儲單元cell區域的層多晶硅與光刻膠共同定義摻雜的區域，由于光刻膠是作為高濃度金屬摻雜時的阻擋層，在摻雜的過程中，光刻膠的外層吸附了一定濃度的金屬離子，這使得光刻膠外面形成一層堅硬的外殼。
這層堅硬的外殼可以采取兩種現有方法去除:方法一，采用濕法刻蝕，但這種工藝容易產生光刻膠殘留；光刻膠京東方事實上，我國是在缺乏經驗、缺乏專業技術人才，缺失關鍵上游原材料的條件下，全靠自己摸索。方法二，先通過干法刻蝕去除硬光刻膠外殼，再采用傳統的干法刻蝕去光刻膠的方法去除剩余的光刻膠的方法，但是這種方式增加了一步工藝流程，浪費能源，而且降低了生產效率；同時，傳統的光刻膠干法刻蝕去除光刻膠時，光刻膠外面的外殼阻擋了光刻膠內部的熱量的散發，光刻膠內部膨脹應力增大，導致層多晶硅倒塌的現象。
NR9-3000PYNR9 3000P光刻膠公司
五、曝光
在這一步中，將使用特定波長的光對覆蓋襯底的光刻膠進行選擇性地照射。光刻膠中的感光劑會發生光化學反應，從而使正光刻膠被照射區域（感光區域）、負光刻膠未被照射的區域（非感光區）化學成分發生變化。光刻膠的目標厚度的確定主要考慮膠自身的化學特性以及所要圖形中線條的及間隙的微細程度。這些化學成分發生變化的區域，在下一步的能夠溶解于特定的顯影液中。
在接受光照后，正性光刻膠中的感光劑DQ會發生光化學反應，變為乙烯酮，并進一步水解為茚并羧酸（Indene-Carboxylic-Acid, CA），羧酸在堿性溶劑中的溶解度比未感光部分的光刻膠高出約100倍，產生的羧酸同時還會促進酚醛樹脂的溶解。光刻工藝的成本約為整個芯片制造工藝的35%，并且耗費時間約占整個芯片工藝的40%到50%。利用感光與未感光光刻膠對堿性溶劑的不同溶解度，就可以進行掩膜圖形的轉移。
曝光方法：
a、接觸式曝光（Contact Printing）掩膜板直接與光刻膠層接觸。
b、接近式曝光（Proximity Printing）掩膜板與光刻膠層的略微分開，大約為10～50μm。
c、投影式曝光（Projection Printing）。在掩膜板與光刻膠之間使用透鏡聚集光實現曝光。
d、步進式曝光(Stepper)
