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發布時間:2021-05-19 13:18  
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MBR1045CT采用俄羅斯米克朗(Mikron)高抗沖擊能力芯片;其高抗沖擊性能尤為顯著,框架材質為100%純銅材料,黑膠部分采用復合材料環氧塑脂材料一次性澆鑄成型;采用臺灣健鼎的一體化測試設備,減少人工操作環節.在品質工藝上:二極管制作是使用的健鼎一體化自動生產線設備,全程工藝由電腦控制,模具更為精密完全杜絕毛刺,外觀光滑自然美觀。
UL為美國安規認證,是世界上安全試驗和鑒定機構整流橋
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激光打標,解決油墨絲印易掉色問題,黑膠材質是采用進口環氧塑脂材料
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編輯:DD
如圖所示,ASEMI肖特基二極管解剖圖放大后的芯片附近,在基片下邊形成N 陰極層,其作用是減小陰極的接觸電阻。通過調整結構參數,N型基片和陽極金屬之間便形成肖特基勢壘,如圖所示。當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓(陽極金屬接電源正極,N型基片接電源負極)時,肖特基勢壘層變窄,其內阻變小;反之,若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時,肖特基勢壘層則變寬,其內阻變大。




采用這種結構的SBD,擊穿電壓由PN結承受。通過調控N-區電阻率、外延層厚度和P 區的擴散深度,使反偏時的擊穿電壓突破了100V這個長期不可逾越的障礙,達到150V和200V。在正向偏置時,高壓SBD的PN結的導通門限電壓為0.6V,而肖特基勢壘的結電壓僅約0.3V,故正向電流幾乎全部由肖特基勢壘供給。





在N型基片和陽極金屬之間形成肖特基勢壘。當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓(陽極金屬接電源正極,N型基片接電源負極)時,肖特基勢壘層變窄,其內阻變小;反之,若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時,肖特基勢壘層則變寬,其內阻變大。
采用有引線式封裝的肖特基二極管通常作為高頻大電流整流二極管、續流二極管或保護二極管使用。它有單管式和對管(雙二極管)式兩種封裝形式