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發布時間:2021-05-11 04:21  
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PCB穩定
PCB被譽為'電子產品',廣泛應用于各個電子終端。光刻膠品牌FUTURRE光刻膠產品屬性:1FUTURRE光刻膠產品簡要描述及優勢:1。2016年,全球PCB市場規模達542.1億美元。國外研究機構預測,PCB市場年復合增長率可達3%,到2020年,PCB全球市場規模將達到610億美元;中國在2020年PCB產值有望達到311億美元,在2015-2020年期間,年復合增長率略高于國際市場,為3.5%。得益于PCB行業發展剛需,我國PCB光刻膠需求空間巨大。
光刻膠去除
半導體器件制造技術中,通常利用光刻工藝將掩膜板上的掩膜圖形轉移到半導體結構表面的光刻膠層中。通常光刻的基本工藝包括涂膠、曝光和顯影等步驟。
在現有技術中,去除光刻膠層的方法是利用等離子體干法去膠。將帶有光刻膠層的半導體結構置于去膠機內,在射頻電壓的能量的作用下,灰化氣體被解離為等離子體。所述等離子體和光刻膠發生反應,從而將光刻膠層去除。
而在一些半導體器件設計時,考慮到器件性能要求,需要對特定區域進行離子注入,使其滿足各種器件不同功能的要求。從對準信號上分,主要包括標記的顯微圖像對準、基于光強信息的對準和基于相位信息對準。一部分閃存產品前段器件形成時,需要利用前面存儲單元cell區域的層多晶硅與光刻膠共同定義摻雜的區域,由于光刻膠是作為高濃度金屬摻雜時的阻擋層,在摻雜的過程中,光刻膠的外層吸附了一定濃度的金屬離子,這使得光刻膠外面形成一層堅硬的外殼。
這層堅硬的外殼可以采取兩種現有方法去除:方法一,采用濕法刻蝕,但這種工藝容易產生光刻膠殘留;方法二,先通過干法刻蝕去除硬光刻膠外殼,再采用傳統的干法刻蝕去光刻膠的方法去除剩余的光刻膠的方法,但是這種方式增加了一步工藝流程,浪費能源,而且降低了生產效率;同時,傳統的光刻膠干法刻蝕去除光刻膠時,光刻膠外面的外殼阻擋了光刻膠內部的熱量的散發,光刻膠內部膨脹應力增大,導致層多晶硅倒塌的現象。光刻膠基于應用領域不同一般可以分為半導體集成電路(IC)光刻膠、PCB光刻膠以及LCD光刻膠三個大類。
PR1-1500A1PR1 2000A1光刻膠報價
6,堅膜
堅膜也叫后烘,是為了去除由于顯影液的浸泡引起膠膜軟化、溶脹現象,能使膠膜附著能力增強,康腐蝕能力提高。
堅膜溫度通常情況高于前烘和曝光后烘烤的溫度 100-140度 10-30min
7,顯影檢驗
光刻膠鉆蝕、圖像尺寸變化、套刻對準不良、光刻膠膜損傷、線條是否齊、陡
小孔、小島。
NR9-3000PY 相對于其他光刻膠具有如下優勢:
- 優異的分辨率性能
- 快速地顯影
- 可以通過調節曝光能量很容易地調節倒梯形側壁的角度
- 耐受溫度100℃
- 室溫儲存保質期長達3 年