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發(fā)布時(shí)間：2020-12-16 19:43
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將納米氮化鈦添加到TiN/Al2O3復(fù)相納米陶瓷中，通過(guò)各種方法（如機(jī)械混合法）等將其混合均勻，得到的這種含有納米氮化鈦顆粒的陶瓷材料內(nèi)部便形成導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)。這種材料可作為電子元件應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè)中。
（6）在鎂碳磚中添加一定量的TiN，能夠使鎂碳磚的抗渣侵蝕性得到很大程度的提高。
（7）氮化鈦是一種優(yōu)良的結(jié)構(gòu)材料，可用于噴汽推進(jìn)器以及火箭等。在軸承和密封環(huán)領(lǐng)域也多用氮化鈦合金，凸顯了氮化鈦優(yōu)異的應(yīng)用效果。 次數(shù)用完API KEY 超過(guò)次數(shù)限制
蒸發(fā)鍍膜過(guò)程中，從膜材表面蒸發(fā)的粒子以一定的速度在空間沿直線(xiàn)運(yùn)動(dòng)，直到與其他粒子碰撞為止。在真空室內(nèi)，當(dāng)氣相中的粒子濃度和殘余氣體的壓力足夠低時(shí)，這些粒子從蒸發(fā)源到基片之間可以保持直線(xiàn)飛行，否則，就會(huì)產(chǎn)生碰撞而改變運(yùn)動(dòng)方向。為此，增加殘余氣體的平均自由程，以減少其與蒸發(fā)粒子的碰撞幾率，把真空室內(nèi)抽成高真空是必要的。當(dāng)真空容器內(nèi)蒸發(fā)粒子的平均自由程大于蒸發(fā)源與基片的距離(以下稱(chēng)蒸距)時(shí)，就會(huì)獲得充分的真空條件。設(shè)蒸距(蒸發(fā)源與基片的距離)為L(zhǎng)，并把L看成是蒸發(fā)粒子已知的實(shí)際行程，λ為氣體分子的平均自由程，設(shè)從蒸發(fā)源蒸發(fā)出來(lái)的蒸汽分子數(shù)為N0，在相距為L(zhǎng)的蒸發(fā)源與基片之間發(fā)生碰撞而散射的蒸汽分子數(shù)為N1，而且假設(shè)蒸發(fā)粒子主要與殘余氣體的原子或分子碰撞而散射，則有N1/N0=1-exp(L/λ)(1) 次數(shù)用完API KEY 超過(guò)次數(shù)限制
真空鍍膜室壁上單分子層所吸附的分子數(shù)Ns與氣相中分子數(shù)N的比值近似值。通常在常用的高真空系統(tǒng)中，其內(nèi)表面上所吸附的單層分子數(shù)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)氣相中的分子數(shù)。因此，除了蒸發(fā)源在蒸鍍過(guò)程中所釋放的氣體外，在密封和抽氣系統(tǒng)性能均良好和清潔的真空系統(tǒng)中，若氣壓處于10-4Pa時(shí)，從真空室壁表面上解吸出來(lái)的氣體分子就是真空系統(tǒng)內(nèi)的主要?dú)怏w來(lái)源。真空下室壁單分子層所吸附的分子數(shù)與氣相分子數(shù)之比分子數(shù)與氣相分子數(shù)A-鍍膜室的內(nèi)表面積，cm2;V-鍍膜室的容積，cm3;ns-單分子層內(nèi)吸附分子數(shù)，個(gè)/cm2;n-氣相分子數(shù)，個(gè)/cm3 次數(shù)用完API KEY 超過(guò)次數(shù)限制
殘余氣體分子撞擊著真空室內(nèi)的所有表面，包括正在生長(zhǎng)著的膜層表面。在室溫和10-4Pa壓力下的空氣環(huán)境中，形成單一分子層吸附所需的時(shí)間只有2.2s。可見(jiàn)，在蒸發(fā)鍍膜過(guò)程中，如果要獲得高純度的膜層，必須使膜材原子或分子到達(dá)基片上的速率大于殘余氣體到達(dá)基片上的速率，只有這樣才能制備出純度好的膜層。這一點(diǎn)對(duì)于活性金屬材料基片更為重要，因?yàn)檫@些金屬材料的清潔表面的粘著系數(shù)均接近于1。在10-2Pa～10-4Pa壓力下蒸發(fā)時(shí)，膜材蒸汽分子與殘余氣體分子到達(dá)基片上的數(shù)量大致相等，這必將影響制備的膜層質(zhì)量。 次數(shù)用完API KEY 超過(guò)次數(shù)限制
