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雙室磁控濺射系統

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設備簡介

主要特點是設備體積小，結構簡單緊湊易于操作，對實驗室供電要求低；該系列設備主要部件采用進口或者國內最優的配置，從而提高設備的穩定性；另外自主開發的智能操作系統在設備的運行重復性及安全性方面得到更好地保障。 目前該系列有基本型、旗艦型、豪華型、尊享型4種不同配置可供選擇，可以根據客戶的不同需求進行配置，比較靈活；標配4只Φ2英寸永磁靶，4臺500W直流濺射電源，主要用來開發納米級單層及多層的金屬導電膜、半導體膜以及絕緣膜等。如果上半部分熱的話說明冷卻不好，會向真空室返油，那就是不正常的現象了，說明冷卻不好，原因可能是水壓不夠或者水管內有阻塞。

直流磁控濺射技術的原理

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直流磁控濺射技術其原理是：在磁控濺射中，由于運動電子在磁場中受到洛侖茲力，它們的運動軌跡會發生彎曲甚至產生螺旋運動，其運動路徑變長，因而增加了與工作氣體分子碰撞的次數，使等離子體密度增大，從而磁控濺射速率得到很大的提高，而且可以在較低的濺射電壓和氣壓下工作，降低薄膜污染的傾向；另一方面也提高了入射到襯底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上改善薄膜的質量。同時，經過多次碰撞而喪失能量的電子到達陽極時，已變成低能電子，從而不會使基片過熱。基片加熱溫度：室溫—500°C連續可調，由熱電偶閉環反饋控制，加熱電源配備控溫表，控溫方式為PID自動控溫及數字顯示8。因此磁控濺射法具有“高速”、“低溫”的優點。