臺灣橡膠納米鍍膜設備詢問報價

離子鍍是在真空蒸發鍍和濺射鍍膜的基礎上發展起來的一種鍍膜技術，將各種氣體放電方式引入到氣相沉積領域，整個氣相沉積過程都是在等離子體中進行的。　　

全SUS304不銹鋼機身，隱藏式雙層冷卻水套設計　　

合理配備多套全新研制的離子弧源，有效保障弧源濺射的穩定性與均勻性　　

采用多路進氣系統，精準控制氣體流量，滿足您多種化合物膜層需求。　　

裝載大功率脈沖偏壓電源，極大提高電粒子能量，從而獲得的膜層結合力和光潔度　　

采用創新工藝制造，精益求精，通過歐盟CE和ISO質量管理體系認證；

蒸鍍中關鍵的兩個參數是真空度（≤10-3Pa）和相對蒸發源的基片距離（10~50cm）。蒸鍍過程中，膜層粒子與真空室中的氣體的碰撞是應該避免的，因此，相對蒸發源的基片距離應大于工作狀態下真空室內氣體分子的平均自由程。

濺射鍍膜過程為：氣體放電→等離子體→帶電離子→電場作用→離子加速→高能離子→撞擊靶材→濺射→發射靶材原子→飛向基板→形成沉積→獲得薄膜。

由于粒子間的碰撞，產生劇烈的氣體電離，使反應氣體受到活化。同時發生陰極濺射效應，為沉積薄膜提供了清潔的活性高的表面。因而整個沉積過程與僅有熱的過程有明顯不同。這兩方面的作用，在進步涂層結協力，降低沉積溫度，加快反應速度諸方面都創造了有利條件。

等離子體化學氣相沉積技術按等離子體能量源方式劃分，有直流輝光放電、射頻放電和微波等離子體放電等。隨著頻率的增加，等離子體強化CVD過程的作用越明顯，形成化合物的溫度越低。

物理氣相沉積（PVD）工藝已經有100多年的歷史了，等離子輔助PVD大約在80年前就申請了專利。術語“物理氣相沉積”僅在60年代出現。當時，需要通過發展眾所周知的技術來發展真空鍍膜工藝，例如濺射，真空，等離子體技術，磁場，氣體化學，熱蒸發，弓形和電源控制，如Powell的書中詳細描述的。在過去的30年中，等離子輔助PVD（PAPVD）被分為幾種不同的電源技術，例如直流（DC）二極管，三極管，射頻（RF），脈沖等離子體，離子束輔助涂層等。，該過程在基本理解上存在一些困難，因此引入了必要的更改以提供好處，例如從涂層到基材的出色附著力，結構控制以及低溫下的材料沉積。