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              馬鞍山PVD中頻離子鍍膜機價格【至成真空科技】

              發布時間:2020-12-28 17:13  

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              影響離子鍍膜層質量的工藝參數


              ①基片偏壓.

              離子鍍膜基片施加負偏壓后;各種離子和高能中性粒子流以較高的能量轟擊基片表面.基片負偏壓的提高,會使基片表面獲得更高的能量,可能形成偽擴散層,提高膜層與基體的附著力,還可以改變膜層的組織、結構和性能,如細化晶粒,圖2表明,隨著基片負偏壓的提高,膜層組織變細,但是,基片負偏壓的提高也會產生一些不利的影響,如反濺射作用的增加,使膜層表面受到刻蝕,使表面光潔程度降低,圖3表明了空心陰極離子鍍鉻時,基片負偏壓對鉻膜表面光澤度的影響,基片負偏壓的提高還會使沉積速率降低,使基片溫度升高,圖4表明了電弧離子鍍tin膜基片負偏壓對沉積速率的影響,因此,應根據不同的離子鍍方法、不同的膜層及使用要求選擇適當的基片負偏壓。

              ②鍍膜真空度和反應氣體分壓.

              離子鍍膜真空度對膜層組織、性能的影響與真空蒸鍍時的影響規律相似,但反應氣體分壓對反應離子鍍鍍制化合物膜的成分、結構和性能有直接的影響,圖5是hcd離子鍍tin膜的硬度與氮氣分壓的關系,因此反應氣體的分壓應根據離子鍍方法,化合物膜層的成分、性質、使用要求以及設備來選擇


              ③基片溫度.

              離子鍍膜基片溫度的高低直接影響著膜層的組織、結構和性能。一般情況下,溫度的升高有利于提高膜層與基片的附著力,有利于改善膜層的組織與性能。但是,溫度過高,則會使沉積速率降低,有時還會使膜層晶粒粗大,性能變壞;圖6中hcd離子鍍鉻膜顯微硬度受基片溫度影響的規律。另外,基片溫度的選擇還要受基片材料性質的限制,如鋼材的回火溫度等

              ④蒸發源功率.

              蒸發源功率對蒸發速率有直接的影響,進而影響沉積速率,影響膜層的組織、性能,對反應沉積化合膜時蒸發源功率也將影響膜層的成分。

              為了獲得所需性能的膜層,應綜合分析、考慮各種因素,迭擇鍍膜方法和確定合理的鍍膜工藝參數。



              真空鍍膜機PVD鍍膜常規知識介紹


              真空鍍膜機PVD技術可以應用到海上用品、首飾、工藝品、門窗五金、廚衛五金、燈具、海上用品、首飾、工藝品,及其它裝飾性制品的加工制造,應用是非常的廣泛,很多客戶采購設備時,對這方面的相關知識也是非常的感興趣,今天至成真空小編,為大家介紹一下真空鍍膜機PVD鍍膜常規知識,希望能幫助大家提升相關知識和技能。

              PVD鍍膜(離子鍍膜)技術,其具體原理是在真空條件下,采用低電壓、大電流的電弧放電技術,利用氣體放電使靶材蒸發并使被蒸發物質與氣體都發生電離,利用電場的加速作用,使被蒸發物質及其反應產物沉積在工件上。

              PVD鍍膜膜層的特點,采用PVD鍍膜技術鍍出的膜層,具有高硬度、高耐磨性(低摩擦系數)、很好的耐腐蝕性和化學穩定性等特點,膜層的壽命更長;同時膜層能夠大幅度提高工件的外觀裝飾性能。


              真空鍍膜機PVD鍍膜技術目前主要應用的行業,PVD鍍膜技術的應用主要分為兩大類:裝飾鍍膜和工具鍍膜。裝飾鍍的目的主要是為了改善工件的外觀裝飾性能和色澤同時使工件更耐磨耐腐蝕延長其使用壽命;這方面主要應用五金行業的各個領域,如門窗五金、鎖具、衛浴五金等行業。工具鍍的目的主要是為了提高工件的表面硬度和耐磨性,降低表面的摩擦系數,提高工件的使用壽命;這方面主要應用在各種刀剪、車削刀具(如車刀、刨刀、銑刀、鉆頭等等)、各種五金工具(如螺絲刀、鉗子等)、各種模具等產品中



              中頻磁控濺射真空鍍膜機鍍膜技術介紹


              很多人不知道,磁控濺射真空鍍膜機鍍膜技術也分類型的,鍍的產品不一樣,使用的磁控濺射技術也是有差別,今天至成真空小編為大將講解一下中頻磁控濺射真空鍍膜機鍍膜技術,希望能幫到大家。

              中頻磁控濺射真空鍍膜機鍍膜技術分靶源分平衡和非平衡式,平衡式靶源鍍膜均勻,非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結合力強。平衡靶源多用于半導體光學膜,非平衡多用于磨損裝飾膜。不管平衡非平衡,若磁鐵靜止,其磁場特性決定一般靶材利用率小于30%。為增大靶材利用率,可采用旋轉磁場。但旋轉磁場需要旋轉機構,同時濺射速率要減小。旋轉磁場多用于大型或貴重靶。如半導體膜濺射。對于小型設備和一般工業設備,多用磁場靜止靶源。

              用磁控靶源濺射金屬和合金很容易,點火和濺射很方便。這是因為靶(陰極),等離子體,和被濺零件真空腔體可形成回路。但若濺射絕緣體如陶瓷則回路斷了。于是人們采用高頻電源,回路中加入很強的電容。這樣在絕緣回路中靶材成了一個電容。但高頻磁控濺射電源昂貴,濺射速率很小,同時接地技術很復雜,因而難大規模采用。為解決此問題,發明了磁控反應濺射。就是用金屬靶,加入Ar氣和反應氣體如氮氣或氧氣。當金屬靶材撞向零件時由于能量轉化,與反應氣體化合生成氮化物或氧化物。



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