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              磁控濺射鍍膜機-創世威納公司

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              發布時間:2020-11-20 08:04  






              我國真空鍍膜機行業發展現狀和前景分析

              創世威納——**真空鍍膜機供應商,我們為您帶來以下信息。

              真空鍍膜技術是一種新穎的材料合成與加工的新技術,是表面工程技術領域的重要組成部分。隨著全球制造業高速發展,真空鍍膜技術應用越來越廣泛。從半導體集成電路、LED、顯示器、觸摸屏、太陽能光伏、化工、制藥等行業的發展來看,對真空鍍膜設備、技術、材料需求都在不斷增加,包括制造大規模集成電路的電學膜;數字式縱向與橫向均可磁化的數據紀錄儲存膜;充分展示和應用各種光學特性的光學膜;計算機顯示用的感光膜;TFT、PDP平面顯示器上的導電膜和增透膜;建筑、汽車行業上應用的玻璃鍍膜和裝飾膜;包裝領域用防護膜、阻隔膜;裝飾材料上具有各種功能裝飾效果的功能膜;工、模具表面上應用的耐磨超硬膜;納米材料研究方面的各種功能性薄膜等。












              直流磁控濺射技術

              為了解決陰極濺射的缺陷,人們在20世紀開發出了直流磁控濺射技術,它有效地克服了陰極濺射速率低和電子使基片溫度升高的弱點,因而獲得了迅速發展和廣泛應用。其原理是:在磁控濺射中,由于運動電子在磁場中受到洛侖茲力,它們的運動軌跡會發生彎曲甚至產生螺旋運動,其運動路徑變長,因而增加了與工作氣體分子碰撞的次數,使等離子體密度增大,從而磁控濺射速率得到很大的提高,而且可以在較低的濺射電壓和氣壓下工作,降低薄膜污染的傾向;另一方面也提高了入射到襯底表面的原子的能量,因而可以在很大程度上改善薄膜的質量。同時,經過多次碰撞而喪失能量的電子到達陽極時,已變成低能電子,從而不會使基片過熱。因此磁控濺射法具有“高速”、“低溫”的優點。該方法的缺點是不能制備絕緣體膜,而且磁控電極中采用的不均勻磁場會使靶材產生顯著的不均勻刻蝕,導致靶材利用率低,一般僅為20%-30%。

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              磁控濺射中靶zhong毒是怎么回事,一般的影響因素是什么?

              靶zhong毒現象

              (1)正離子堆積:靶zhong毒時,磁控濺射鍍膜機,靶面形成一層絕緣膜,正離子到達陰極靶面時由于絕緣層的阻擋,不能直接進入陰極靶面,而是堆積在靶面上,容易產生冷場致弧光放電---打弧,使陰極濺射無法進行下去。(2)陽極消失:靶zhong毒時,接地的真空室壁上也沉積了絕緣膜,到達陽極的電子無法進入陽極,形成陽極消失現象。

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