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磁控濺射中靶zhong毒是怎么回事，一般的影響因素是什么？

靶zhong毒的影響因素  

影響靶zhong毒的因素主要是反應氣體和濺射氣體的比例，反應氣體過量就會導致靶zhong毒。反應濺射工藝進行過程中靶表面濺射溝道區(qū)域內出現(xiàn)被反應生成物覆蓋或反應生成物被剝離而重新暴露金屬表面此消彼長的過程。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率，化合物覆蓋面積增加。在一定功率的情況下，參與化合物生成的反應氣體量增加，化合物生成率增加。如果反應氣體量增加過度，化合物覆蓋面積增加，如果不能及時調整反應氣體流量，化合物覆蓋面積增加的速率得不到抑制，真空磁控濺射鍍膜機價格，濺射溝道將進一步被化合物覆蓋，當濺射靶被化合物全部覆蓋的時候，靶完全zhong毒。

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磁控濺射

磁控濺射靶材的利用率可成為磁控濺射源的工程設計和生產工藝成本核算的一個參數(shù)。目前沒有見到對磁控濺射靶材利用率專門或系統(tǒng)研究的報道，而從理論上對磁控濺射靶材利用率近似計算的探討具有實際意義。對于靜態(tài)直冷矩形平面靶，即靶材與磁體之間無相對運動且靶材直接與冷卻水接觸的靶，?靶材利用率數(shù)據(jù)多在20%~30%左右(間冷靶相對要高一些，但其被刻蝕過程與直冷靶相同，不作專門討論)，且多為估計值。為了提高靶材利用率，研究出來了不同形式的動態(tài)靶，其中以旋轉磁場圓柱靶工業(yè)上被廣泛應用，據(jù)稱這種靶材的利用率可超過70%，但缺少足夠數(shù)據(jù)或理論證明。常見的磁控濺射靶材從幾何形狀上看有三種類型：矩形平面、圓形平面和圓柱管? 如何提高利用率是真空磁控濺射鍍膜行業(yè)的重點，圓柱管靶利用高，真空磁控濺射鍍膜機工作原理，但在有些產業(yè)是不適用的，如何提高靶材利用，請到此一看的朋友，在下面留下你的見解，提供好的方法。

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磁控濺射法定義是什么？

磁控濺射法是在高真空充入適量的Ar，在陰極（柱狀靶或平面靶）和陽極（鍍膜室壁） 之間施加幾百K 直流電壓，在鍍膜室內產生磁控型異常輝光放電，使Ar發(fā)生電離。Ar離子被陰極加速并轟擊陰極靶表面，真空磁控濺射鍍膜機，將靶材表面原子濺射出來沉積在基底表面上形成薄膜。

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