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影響鍍膜機磁控靶點火電壓的因素有哪些

靶材對點火電壓的影響

(1)陰極靶材的不同材質，因濺射的能量閥值的不同，一般濺射“逸出功”較小的陰極靶材，其點火電壓和工作的電壓要低一些，反之則會高一些。(2)鐵磁性靶材(鐵、鈷、鎳、氮化鐵等)和鐵素體靶材，會偏轉和減少陰極濺射靶面磁場對磁控靶造成影響。靶面磁場的降低，使磁控靶需要很高的電壓才能點火起輝。(3)點火電壓與磁控靶靶材濺射面積和真空腔體的機械尺寸大小有關。靶材濺射面積大，或是真空腔體的機械尺寸大，相應充入工作氣體的數量值較多，在同一陰-陽極電壓下，工作氣體例如氣電離出導電正離子和電子亦增多，導致點火電壓下降(在鍍膜時還會造成磁控靶濺射電壓一定程度上的降低)。

磁控濺射鍍膜靶電源的空載電壓

(1)靶電源輸出的空載電壓主要供磁控靶“點火起輝”用，其峰值電壓大體可分為三擋，即：800V-1KV-1.2(或1.3)KV左右。(2)大約在5KW以下的靶電源輸出空載電壓的峰-峰值Vp-p一般在1~1.3KV左右;5KW以上的靶電源其輸出的空載電壓的峰-峰值Vp-p大約在800~1KV;且電源功率越大,其輸出的空載電壓越接近偏小值。(3)鐵磁性靶材(鐵、鈷、鎳、氮化鐵)以及其它鐵素體靶材，在選用靶電源輸出的空載電壓時，須選擇靶電源輸出空載電壓峰-峰值Vp-p范圍的偏大數值。

什么是鍍膜機鍍膜的均勻性

均勻性這個概念本身也會隨著鍍膜尺度和薄膜成分而有著不同的意義。在光學薄膜的尺度上看，真空鍍膜的均勻性已經相當好，可以輕松將粗糙度控制在可見光波長的1/10范圍內。原子層尺度上的均勻度，也就是說要實現10A甚至1A的表面平整，是現在真空鍍膜中主要的技術含量與技術瓶頸所在對于多弧離子鍍膜機的光學特性來說，真空鍍膜沒有任何障礙。鍍膜中化合物的原子組分會由于尺度過小而很容易的產生不均勻特性，那么實際表面的組分并不是SiTiO3，而可能是其他的比例，鍍的膜并非是想要的膜的化學成分，這也是真空鍍膜的技術含量所在。對于晶格有序度的均勻性，這決定了薄膜是單晶，多晶，非晶，是真空鍍膜技術中的熱點問題

影響鍍真空鍍膜機為塑料件鍍膜時抽真空時間長的原因

影響鍍真空鍍膜機為塑料件鍍膜時抽真空時間長的原因磁控靶點火電壓的幾個因素 在工作氣體種類、成分、氣壓和陰極材料已確定及其它條件不變的條件下，鍍膜機陰-陽兩極間的氣體放電點火電壓的高低可由巴-刑定律來說明，氣體點燃電壓Uz不僅和氣壓P、極間距d有關，而且和P與d的乘積有關(即Uz是P×d乘積的函數，不是單獨是P或d的函數)。巴-刑曲線的左側與下側是不能形成自持放電區域;右上側是可以形成穩定自持放電區域;磁控濺射通常工作在巴-刑曲線的左支。利用這個規律，在放電部件(磁控靶、引出電極等)的結構設計中，通過調整結構間隙的手段來控制各電極對屏蔽罩、金屬腔體間的放電和打弧。