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磁控濺射鍍膜機

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ITO 薄膜的磁控濺射靶主要分為InSn 合金靶、In2O3-SnO2 陶瓷靶兩類。在用合金靶制備ITO 薄膜時，由于濺射過程中作為反應氣體的氧會和靶發生很強的電化學反應，靶面覆蓋一層化合物，使濺射蝕損區域縮得很小(俗稱“靶zhong毒”) ，以至很難用直流濺射的方法穩定地制備出的ITO 膜。也就是說，采用合金靶磁控濺射時，工藝參數的窗口很窄且極不穩定。陶瓷靶因能抑制濺射過程中氧的選擇性濺射，能穩定地將金屬銦和錫與氧的反應物按所需的化學配比穩定地成膜，故無zhong毒現象，工藝窗口寬，穩定性好。但這不等于說陶瓷靶解決了所有的問題，磁控濺射，其薄膜光電性能仍然受制于基底溫度、濺射電壓、氧含量等主要工藝參數的影響，不同工藝制備出的ITO 薄膜的光電性能相差甚遠。因此，開展ITO陶瓷靶磁控濺射工藝參數的優化研究很有意義。

磁控濺射鍍膜的特點

1、靶材粒子能量高（比熱蒸發高出1個數量級），所制備膜層更致密，與石英片結合力更高：

2、一般備有輔助離子源，可以用來清洗石英片，清洗效果好；

3、易于制備熔點高的材料；

4、制備合金膜層，可以保證膜層材料比例與靶材相同；

5、由于裝有中和器，也可以用來制備絕緣膜層。

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磁控濺射設備的主要用途

（1）各種功能性薄膜：如具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜。例如，低溫沉積氮化硅減反射膜，以提高太陽能電池的光電轉換效率。（2）裝飾領域的應用，如各種全反射膜及半透明膜等，如手機外殼，鼠標等。（3） 在微電子領域作為一種非熱式鍍膜技術，主要應用在化學氣相沉積（CVD）或金屬有機（4）化學氣相沉積（MOCVD）生長困難及不適用的材料薄膜沉積，而且可以獲得大面積非常均勻的薄膜。（5） 在光學領域：中頻閉合場非平衡磁控濺射技術也已在光學薄膜（如增透膜）、低輻射玻璃和透明導電玻璃等方面得到應用。特別是透明導電玻璃目前廣泛應用于平板顯示器件、太陽能電池、微波與射頻*裝置與器件、傳感器等。（6）在機械加工行業中，表面功能膜、超硬膜，自潤滑薄膜的表面沉積技術自問世以來得到長足發展，能有效的提高表面硬度、復合韌性、耐磨損性和抗高溫化學穩定性能，從而大幅度地提高涂層產品的使用壽命。磁控濺射除上述已被大量應用的領域，還在高溫超導薄膜、鐵電體薄膜、巨磁阻薄膜、薄膜發光材料、太陽能電池、記憶合金薄膜研究方面發揮重要作用。

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