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若將反應氣體導入蒸發空間，便可在工件表面沉積金屬化合物涂層，這就是反應性離子鍍。由于采用等離子活化，工件只需在較低溫度甚至在室溫下進行鍍膜，完全保證零件的尺寸精度和表面粗糙度，因此，可以安排在工件淬火、回火后即后一道工序進行。如沉積TiN或TiC時，基體溫度可以在150-600℃范圍內選擇，溫度高時涂層的硬度高，與基體的結合力也高。基體溫度可根據基體材料及其回火溫度選擇，如基體為高速鋼，可選擇560℃，這樣，對于經淬火、回火并加工到尺寸的模具加工，無需擔心基體硬度降低及變形問題。另外，離子鍍的沉積速度較其他氣相沉積方法快，得到10mm厚的TiC或TiN涂層，一般只需要幾十分鐘。

在真空度較高的環境下，通過加熱或高能粒子轟擊的方法使源材料以原子、分子或離子的形式逸出沉積物粒子，并且逸出的粒子在基片上沉積形成薄膜的技術。.PVD大家族里主要有三位成員：真空蒸發沉積技術（蒸鍍）；濺射沉積技術；離化PVD技術。

蒸鍍是在真空環境下，以各種加熱方式賦予待蒸發源材料以熱量，使源材料物質獲得所需的蒸汽壓而實現蒸發，所發射的氣相蒸發物質在具有適當溫度的基片上不斷沉積而形成薄膜的沉積技術。

PCVD的工藝裝置由沉積室、反應物輸送系統、放電電源、真空系統及檢測系統組成。氣源需用氣體凈化器除往水分和其它雜質，經調節裝置得到所需要的流量，再與源物質同時被送進沉積室，在一定溫度和等離子體等條件下，得到所需的產物，并沉積在工件或基片表面。所以，PCVD工藝既包括等離子體物理過程，又包括等離子體化學反應過程。

微波等離子體化學氣相沉積（MW-PCVD）

微波等離子體的特點是能量大，活性強。激發的亞穩態原子多，化學反應輕易進行，是一種很有發展前途、用途廣泛的新工藝，微波頻率為2.45GHz，

微波放電與直流輝光放電相比具有設備結構簡單，輕易起輝，耦合，工作穩定，無氣體污染及電極腐蝕，工作頻帶寬等優點，裝置主要由微波發生器、環形器、定向耦合器、表面波導放電部分及沉積室組成。