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發布時間:2022-06-02 05:11  





光刻膠
在曝光過程中,NR29 25000P光刻膠哪家好,正性膠通過感光化學反應,切斷樹脂聚合體主鏈和從鏈之間的聯系,達到削弱聚合體的目的,所以曝光后的光刻膠在隨后顯影處理中溶解度升高。曝光后的光刻膠溶解速度幾乎是未曝光的光刻膠溶解速度的10倍。而負性膠,在感光反應過程中主鏈的隨機十字鏈接更為緊密,并且從鏈下墜物增長,所以聚合體的溶解度降低。見正性膠在曝光區間顯影,負性膠則相反。負性膠由于曝光區間得到保留,漫射形成的輪廓使顯影后的圖像為上寬下窄的圖像,而正性膠相反,為下寬上窄的圖像。
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如何選購光刻膠?
光刻加工工藝中為了圖形轉移,輻照必須作用在光刻膠上,通過改變光刻膠材料的性質,使得在完成光刻工藝后,光刻版圖形被在圓片的表面。而加工前,如何選用光刻膠在很大程度上已經決定了光刻的精度。盡管正性膠的分辨力是的,但實際應用中由于加工類型、加工要求、加工成本的考慮,需要對光刻膠進行合理的選擇。
劃分光刻膠的一個基本的類別是它的極性。光刻膠在曝光之后,被浸入顯影溶液中。在顯影過程中,正性光刻膠曝過光的區域溶解得要快得多。理想情況下,未曝光的區域保持不變。負性光刻膠正好相反,在顯影劑中未曝光的區域將溶解,而曝光的區域被保留。正性膠的分辨力往往是的,因此在IC制造中的應用更為普及,但MEMS系統中,由于加工要求相對較低,光刻膠需求量大,負性膠仍有應用市場。

光刻膠按用途分類
光刻膠經過幾十年不斷的發展和進步,應用領域不斷擴大,衍生出非常多的種類,NR29 25000P光刻膠,按照應用領域,光刻膠可以劃分為印刷電路板(PCB)用光刻膠、液晶顯示(LCD)用光刻膠、半導體用光刻膠和其他用途光刻膠。其中,PCB 光刻膠技術壁壘相對其他兩類較低,而半導體光刻膠代表著光刻膠技術水平。
(1)半導體用光刻膠
在半導體用光刻膠領域,光刻技術經歷了紫外全譜(300~450nm)、G 線(436nm)、I 線 (365nm)、深紫外(DUV,包括 248nm 和 193nm)和極紫外(EUV)六個階段。相對應于各曝光波長的光刻膠也應運而生,光刻膠中的關鍵配方成份,如成膜樹脂、光引發劑、添加劑也隨之發生變化,使光刻膠的綜合性能更好地滿足工藝要求。
(2)LCD光刻膠
在LCD 面板制造領域,光刻膠也是極其關鍵的材料。根據使用對象的不同,可分為 RGB 膠(彩色膠)、BM膠(黑色膠)、OC 膠、PS 膠、TFT 膠等。
光刻工藝包含表面準備、涂覆光刻膠、前烘、對準曝光、顯影、堅膜、顯影檢查、刻蝕、剝離、終檢查等步驟,以實現圖形的轉移,制造特定的微結構。
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