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光刻膠主要用于圖形化工藝

以半導(dǎo)體行業(yè)為例，光刻膠主要用于半導(dǎo)體圖形化工藝。圖形化工藝是半導(dǎo)體制造過程中的工藝。圖形化可以簡(jiǎn)單理解為將設(shè)計(jì)的圖像從掩模版轉(zhuǎn)移到晶圓表面合適的位置。

一般來講圖形化主要包括光刻和刻蝕兩大步驟，分別實(shí)現(xiàn)了從掩模版到光刻膠以及從光刻膠到晶圓表面層的兩步圖形轉(zhuǎn)移，流程一般分為十步:1.表面準(zhǔn)備，2.涂膠，3.軟烘焙，4.對(duì)準(zhǔn)和曝光，5.顯影，6.硬烘焙，7.顯影檢查，8.刻蝕，9.去除光刻膠，10.終檢查。

具體來說，在光刻前首先對(duì)于晶圓表面進(jìn)行清洗，光刻膠廠家，主要采用相關(guān)的濕化學(xué)品，包括氨水等。

晶圓清洗以后用旋涂法在表面涂覆一層光刻膠并烘干以后傳送到光刻機(jī)里。在掩模版與晶圓進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)以后，光線透過掩模版把掩模版上的圖形投影在光刻膠上實(shí)現(xiàn)曝光，電子光刻膠廠家，這個(gè)過程中主要采用掩模版、光刻膠、光刻膠配套以及相應(yīng)的氣體和濕化學(xué)品。

對(duì)曝光以后的光刻膠進(jìn)行顯影以及再次烘焙并檢查以后，實(shí)現(xiàn)了將圖形從掩模版到光刻膠的次圖形轉(zhuǎn)移。在光刻膠的保護(hù)下，對(duì)于晶圓進(jìn)行刻蝕以后剝離光刻膠然后進(jìn)行檢查，實(shí)現(xiàn)了將圖形從光刻膠到晶圓的第二次圖形轉(zhuǎn)移。

目前主流的刻蝕辦法是等離子體干法刻蝕，主要用到含氟和含體。

光刻膠按用途分類

光刻膠經(jīng)過幾十年不斷的發(fā)展和進(jìn)步，應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)大，衍生出非常多的種類，按照應(yīng)用領(lǐng)域，光刻膠可以劃分為印刷電路板(PCB)用光刻膠、液晶顯示(LCD)用光刻膠、半導(dǎo)體用光刻膠和其他用途光刻膠。其中，PCB 光刻膠技術(shù)壁壘相對(duì)其他兩類較低，而半導(dǎo)體光刻膠代表著光刻膠技術(shù)水平。

(1)半導(dǎo)體用光刻膠

在半導(dǎo)體用光刻膠領(lǐng)域，光刻技術(shù)經(jīng)歷了紫外全譜(300～450nm)、G 線(436nm)、I 線 (365nm)、深紫外(DUV，包括 248nm 和 193nm)和極紫外(EUV)六個(gè)階段。相對(duì)應(yīng)于各曝光波長的光刻膠也應(yīng)運(yùn)而生，光刻膠中的關(guān)鍵配方成份，如成膜樹脂、光引發(fā)劑、添加劑也隨之發(fā)生變化，光阻劑光刻膠廠家，使光刻膠的綜合性能更好地滿足工藝要求。

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硅片模具加工如何選擇光刻膠呢？

注意事項(xiàng)：

①若腐蝕液為堿性，則不宜用正性光刻膠；

②看光刻機(jī)型式，若是投影方式，用常規(guī)負(fù)膠時(shí)氮?dú)猸h(huán)境可能會(huì)有些問題

③負(fù)性膠價(jià)格成本低，正性膠較貴；

④工藝方面：負(fù)性膠能很好地獲得單根線，而正性膠可獲得孤立的洞和槽；

⑤健康方面：負(fù)性膠為有機(jī)溶液處理，不利于環(huán)境；正性膠屬于水溶液，對(duì)健康、環(huán)境無害。

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