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              進(jìn)口化學(xué)氣相沉積設(shè)備公司在線咨詢「多圖」

              發(fā)布時(shí)間:2021-10-21 08:37  

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              化學(xué)氣相沉積技術(shù)在材料制備中的使用

              化學(xué)氣相沉積法生產(chǎn)晶體、晶體薄膜

              化學(xué)氣相沉積法不但可以對(duì)晶體或者晶體薄膜性能的改善有所幫助,而且也可以生產(chǎn)出很多別的手段無法制備出的一些晶體。化學(xué)氣相沉積法常見的使用方式是在某個(gè)晶體襯底上生成新的外延單晶層,開始它是用于制備硅的,后來又制備出了外延化合物半導(dǎo)體層。對(duì)基于PECVD技術(shù)的硅基薄膜的沉積而言,如果能夠深刻揭示其沉積機(jī)理,便可以在保證材料優(yōu)良物性的前提下,大幅度提高硅基薄膜材料的沉積速率。它在金屬單晶薄膜的制備上也比較常見(比如制備 W、Mo、Pt、Ir 等)以及個(gè)別的化合物單晶薄膜(例如鐵酸鎳薄膜、釔鐵石榴石薄膜、鈷鐵氧體薄膜等)。

              期望大家在選購化學(xué)氣相沉積時(shí)多一份細(xì)心,少一份浮躁,不要錯(cuò)過細(xì)節(jié)疑問。想要了解更多化學(xué)氣相沉積的相關(guān)資訊,歡迎撥打圖片上的熱線電話!!!



              化學(xué)氣相沉積法在金屬材料方面的使用

              以下內(nèi)容由沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您提供,今天我們來分享化學(xué)氣相沉積的相關(guān)內(nèi)容,希望對(duì)同行業(yè)的朋友有所幫助!

              化學(xué)氣相沉積法生產(chǎn)幾種金屬薄膜

              金屬薄膜因其有著較好的高導(dǎo)電率、強(qiáng)催化活性以及極其穩(wěn)定引起了研究者的興趣。和生成金屬薄膜的其他方式相比,化學(xué)氣相沉積法有更多技術(shù)優(yōu)勢,所以大多數(shù)制備金屬薄膜都會(huì)采用這種方式。沿管子方向往返移動(dòng)的石墨電阻爐對(duì)小斷旋轉(zhuǎn)的管子加熱到大約2200℃,在表面張力的作用下,分階段將沉積好的石英管熔縮成一根實(shí)心棒(預(yù)制棒)。沉積金屬薄膜用的沉積員物質(zhì)種類比較廣泛,不過大多是金屬元素的鹵化物和有機(jī)化合物,比如COCl2、氯化碳酰鉑、氯化碳酰銥、DCPD化合物等等。

              Goto 團(tuán)隊(duì)在金屬薄膜用作電極材料上做了大量的工作。他們所使用的襯底材料有藍(lán)寶石、石英玻璃以及氧化釔穩(wěn)定化的二氧化鋯(YSZ)等等。在成沉積時(shí)往裝置中通入氧氣是為了消除掉原料因熱分解產(chǎn)生的碳,并制備出更有金屬光澤的金屬薄膜,如若不然則得到的就是銥碳簇膜,也就是納米等級(jí)被晶碳層所包裹的銥顆粒。沉積在YSZ 上面的銥碳簇膜有著較好的電性能和催化活性。在當(dāng)代,微型電子學(xué)元器件中越來越多的使用新型非晶態(tài)材料,這種材料包括磷硅玻璃、硼硅玻璃、SiO2以及Si3N4等等。在比較低的溫度下,銥碳簇膜的界面電導(dǎo)率能達(dá)到純銥或者純鉑的百倍以上。金屬和炭組成的簇膜是一種輸送多孔催化活性強(qiáng)的簇膜,在電極材料上的使用在未來將很有潛力。



              化學(xué)氣相沉積產(chǎn)品概述

              沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司——專業(yè)生產(chǎn)、銷售化學(xué)氣相沉積,我們公司堅(jiān)持用戶為上帝,想用戶之所想,急用戶之所急,以誠為本,講求信譽(yù),以產(chǎn)品求發(fā)展,以質(zhì)量求生存,我們熱誠地歡迎各位同仁合作共創(chuàng)輝煌。

              1、適用范圍:適合于各單位實(shí)驗(yàn)室、高等院校實(shí)驗(yàn)室、教學(xué)等的項(xiàng)目科研、產(chǎn)品中試之用。

              2、產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)及特點(diǎn):應(yīng)用于半導(dǎo)體薄膜、硬質(zhì)涂層等薄膜制備,兼等離子體清洗、等離子體刻蝕。

              3、主要用途:主要用來制作SiO2、Si3N4、非晶Si:H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介電、半導(dǎo)體及金屬膜。



              ICP刻蝕機(jī)的測量與控制

              沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司生產(chǎn)、銷售ICP刻蝕機(jī),以下信息由沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您提供。

              由于等離子刻蝕工藝中的過程變量,如刻蝕率、氣壓、溫度、等離子阻抗,等等,不易測量,因此業(yè)界常用的測量方法有:

              虛擬測量(Virtual Metrology) 

              等離子刻蝕過程控制示意圖

              光譜測量

              等離子阻抗監(jiān)控

              終端探測

              遠(yuǎn)程耦合傳感

              控制方法

              run-to-run 控制(R2R) 

              模型預(yù)測控制(MPC)

              人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)控制



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