氣相化學沉積設備廠家詢問報價「沈陽鵬程」

發布時間：2021-10-27 05:34

【廣告】

化學氣相沉積技術在材料制備中的使用

化學氣相沉積法生產晶體、晶體薄膜

化學氣相沉積法不但可以對晶體或者晶體薄膜性能的改善有所幫助，而且也可以生產出很多別的手段無法制備出的一些晶體。化學氣相沉積法常見的使用方式是在某個晶體襯底上生成新的外延單晶層，開始它是用于制備硅的，后來又制備出了外延化合物半導體層。它在金屬單晶薄膜的制備上也比較常見（比如制備 W、Mo、Pt、Ir 等）以及個別的化合物單晶薄膜（例如鐵酸鎳薄膜、釔鐵石榴石薄膜、鈷鐵氧體薄膜等）。和生成金屬薄膜的其他方式相比，化學氣相沉積法有更多技術優勢，所以大多數制備金屬薄膜都會采用這種方式。

期望大家在選購化學氣相沉積時多一份細心，少一份浮躁，不要錯過細節疑問。想要了解更多化學氣相沉積的相關資訊，歡迎撥打圖片上的熱線電話！！！

化學氣相沉積法在金屬材料方面的使用

沈陽鵬程真空技術有限責任公司專業生產、銷售化學氣相沉積，以下信息由沈陽鵬程真空技術有限責任公司為您提供。

化學氣相沉積法生產金屬銥高溫涂層從20世紀80年代起，NASA 開始嘗試使用金屬有機化合物化學氣相沉積法制取出使用錸基銥作為涂層的復合噴管，并獲得了成功，這時化學氣相沉積法在生產金屬涂層領域才有了一定程度上的突破。

NASA 使用了C15H21IrO6作為制取銥涂層的材料，并利用 C15H21IrO6的熱分解反應進行沉積。銥的沉積速度很快，可以達到3~20μm/h。沉積厚度也達到了50μm，C15H21IrO6的制取效率達 70%以上。

PCVD與傳統CVD技術的區別

以下是沈陽鵬程真空技術有限責任公司為您一起分享的內容，沈陽鵬程真空技術有限責任公司專業生產化學氣相沉積，歡迎新老客戶蒞臨。

PCVD與傳統CVD技術的區別在于等離子體含有大量的高能量電子，這些電子可以提供化學氣相沉積過程中所需要的激發能，從而改變了反應體系的能量供給方式。由于等離子體中的電子溫度高達10000K，電子與氣相分子的碰撞可以促進反應氣體分子的化學鍵斷裂和重新組合，生成活性更高的化學基團，同時整個反應體系卻保持較低的溫度。這一特點使得原來需要在高溫下進行的CVD過程得以在低溫下進行。公司生產、銷售化學氣相沉積,公司擁有強大的銷售團隊和經營理念。