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發布時間:2020-12-18 11:08  
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感應耦合等離子體刻蝕的原理
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感應耦合等離子體刻蝕法(Inductively Coupled Plasma Etch,簡稱ICPE)是化學過程和物理過程共同作用的結果。它的基本原理是在真空低氣壓下,ICP 射頻電源產生的射頻輸出到環形耦合線圈,以一定比例的混合刻蝕氣體經耦合輝光放電,產生高密度的等離子體,在下電極的RF 射頻作用下,這些等離子體對基片表面進行轟擊,基片圖形區域的半導體材料的化學鍵被打斷,與刻蝕氣體生成揮發性物質,以氣體形式脫離基片,從真空管路被抽走。
感應耦合等離子體刻蝕機的結構三
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供氣系統供氣系統是向刻蝕腔體輸送各種刻蝕氣體,通過壓力控制器(PC)和質量流量控制器(MFC)精準的控制氣體的流速和流量。氣體供應系統由氣源瓶、氣體輸送管道、控制系統、混合單元等組成。
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感應耦合等離子體刻蝕機的結構四
真空系統真空系統有兩套,分別用于預真空室和刻蝕腔體。預真空室由機械泵單獨抽真空,只有在預真空室真空度達到設定值時,才能打開隔離門,進行傳送片。刻蝕腔體的真空由機械泵和分子泵共同提供,刻蝕腔體反應生成的氣體也由真空系統排空。
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感應耦合等離子體刻蝕機的原理
如果需要進行刻蝕,和蝕刻后,除污,清除浮渣,表面處理,等離子體聚合,等離子體灰化,或任何其他的蝕刻應用,我們能夠制造客戶完全信任的等離子處理系統,以滿足客戶的需要。我們既有常規的等離子體蝕刻系統,也有反應性離子蝕刻系統,我們可以制造系列的產品,也可以為客戶定制特殊的系統。我們可以提供快速/高品質的蝕刻,減輕等離子傷害,并提供的均勻性。
等離子體處理可應用于所有的基材,甚至復雜的幾何構形都可以進行等離子體活化、等離子體清洗,等離子體鍍膜也毫無問題。等離子體處理時的熱負荷及機械負荷都很低,因此,低壓等離子體也能處理敏感性材料。
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