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濺射鍍膜技術

濺射鍍膜濺射鍍膜就是在真空中利用荷能粒子轟擊靶表面，使被轟擊出的粒子沉積在基片上的技術。通常，利用低壓惰性氣體輝光放電來產生入射離子。陰極靶由鍍膜材料制成，基片作為陽極，真空室中通入0.1-10Pa的Ar或其它惰性氣體，在陰極（靶）1-3KV直流負高壓或13.56MHz的射頻電壓作用下產生輝光放電。電離出的離子轟擊靶表面，使得靶原子濺出并沉積在基片上，形成薄膜。濺射方法很多，主要有二級濺射、三級或四級濺射、磁控濺射、對靶濺射、射頻濺射、偏壓濺射、非對稱交流射頻濺射、離子束濺射以及反應濺射等。

由于被濺射原子是與具有數十電子伏特能量的正離子交換動能后飛濺出來的，因而濺射出來的原子能量高，有利于提高沉積時原子的擴散能力，提高沉積組織的致密程度，使制出的薄膜與基片具有強的附著力。濺射時，氣體被電離之后，氣體離子在電場作用下飛向接陰極的靶材，電子則飛向接地的壁腔和基片。這樣在低電壓和低氣壓下，產生的離子數目少，靶材濺射效率低；而在高電壓和高氣壓下，盡管可以產生較多的離子，但飛向基片的電子攜帶的能量高，容易使基片發熱甚至發生二次濺射，影響制膜質量。另外，靶材原子在飛向基片的過程中與氣體分子的碰撞幾率也大為增加，因而被散射到整個腔體，既會造成靶材浪費，又會在制備多層膜時造成各層的污染。

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磁控濺射鍍膜機技術原理

真空磁控濺射鍍膜技術是通過真空磁控濺射鍍膜機實現的，鍍膜機內由不同級別的真空泵抽氣，在系統內營造出一個鍍膜所需的真空環境，磁控濺射鍍膜機工作原理，真空度要達到鍍膜所需的本底真空，一般在（1~5）×10-8 Pa。在真空環境中向靶材（陰極）下充入工藝氣體氣（Ar），氣在外加電場（由直流或交流電源產生）作用下發生電離生成離子（Ar ），磁控濺射鍍膜機，同時在電場E的作用下，離子加速飛向陰極靶并以高能量轟擊靶表面，使靶材產生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子（或分子）沉積在PET基片上形成薄膜。同時被濺射出的二次電子在陰極暗區被加速，在飛向基片的過程中，落入設定的正交電磁場的電子阱中，直接被磁場的洛倫茲力束縛，使其在磁場B的洛倫茲力作用下，以旋輪線和螺旋線的復合形式在靶表面附近作回旋運動。電子e的運動被電磁場束縛在靠近靶表面的等離子區域內，使其到達陽極前的行程大大增長，大大增加碰撞電離幾率，使得該區域內氣體原子的離化率增加，磁控濺射鍍膜機價格，轟擊靶材的高能Ar 離子增多，從而實現了磁控濺射高速沉積的特點。在運用該機理開發磁控膜的過程中，要注意以下幾個問題：①保證整體工藝中各個環節的可靠性。具體包括靶材質量、工藝氣體純度、原膜潔凈程度、原膜質量等基礎因素，這一系列因素會對鍍膜產品的終質量產生影響。②選擇合適的靶材。要建立的膜系是通過對陰極的前后順序布置實現的。③控制好各環節的工藝性能及參數。如適合的本底真空度、靶材適用的濺射功率、工藝氣體和反應氣體用量與輸入均勻性、膜層厚度等。總之，只有控制好以上各因素，才能夠保證所開發的鍍膜PET具有穩定的顏色、優異的性能和耐久性。

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濺射鍍膜

由于被濺射原子是與具有數十電子伏特能量的正離子交換動能后飛濺出來的，因而濺射出來的原子能量高，有利于提高沉積時原子的擴散能力，提高沉積組織的致密程度，使制出的薄膜與基片具有強的附著力。濺射時，氣體被電離之后，氣體離子在電場作用下飛向接陰極的靶材，電子則飛向接地的壁腔和基片。這樣在低電壓和低氣壓下，產生的離子數目少，靶材濺射效率低；而在高電壓和高氣壓下，盡管可以產生較多的離子，但飛向基片的電子攜帶的能量高，容易使基片發熱甚至發生二次濺射，影響制膜質量。另外，磁控濺射鍍膜機廠家，靶材原子在飛向基片的過程中與氣體分子的碰撞幾率也大為增加，因而被散射到整個腔體，既會造成靶材浪費，又會在制備多層膜時造成各層的污染。

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