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              發布時間:2020-11-14 16:03  






              離子束刻蝕

              利用低能量平行Ar 離子束對基片表面進行轟擊,表面上未被掩膜覆蓋部分的材料被濺射出,大樣片離子束刻蝕機報價,從而達到選擇刻蝕的目的,它采用純物理的刻蝕原理。離子束刻蝕是目前所有刻蝕方法中分辨率較高,陡真性較好的方法,它可以對所有材料進行刻蝕,例如:金屬、合金、氧化物、化合物、混合材料、半導體、絕緣體、超導體等。

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              反應離子刻蝕的原理

              在反應離子刻蝕中,氣體放電產生的等離子體中有大量化學活性的氣體離子,這些離子與材料表面相互作用導致表面原子產生化學反應,生成可揮發產物。這些揮發產物隨真空抽氣系統被排走。隨著材料表層的“反應-剝離-排放”的周期循環,材料被逐層刻蝕到特定深度。除了表面化學反應外,帶能量的離子轟擊材料表面也會使表面原子濺射,產生一定的刻蝕作用。所以,大樣片離子束刻蝕機品牌,反應離子刻蝕包括物理和化學刻蝕兩者的結合。

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              影響離子束刻蝕的因素

              影響刻蝕效果的因素很多,還有諸如離子刻蝕的二次效應、光刻膠掩模圖形的形狀和厚度、源靶距效應、離子刻蝕弓起的材料損傷及溫度效應等。

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