PR1 1500A1光刻膠價格生產基地

光刻工藝主要性一

光刻膠不僅具有純度要求高、工藝復雜等特征，還需要相應光刻機與之配對調試。一般情況下，一個芯片在制造過程中需要進行10~50道光刻過程，由于基板不同、分辨率要求不同、蝕刻方式不同等，不同的光刻過程對光刻膠的具體要求也不一樣，即使類似的光刻過程，不同的廠商也會有不同的要求。廣泛使用:(HMDS)、在PR旋轉涂覆前HMDS蒸氣涂覆、PR涂覆前用冷卻板冷卻圓片。

針對不同應用需求，光刻膠的品種非常多，這些差異主要通過調整光刻膠的配方來實現(xiàn)。因此，通過調整光刻膠的配方，滿足差異化的應用需求，是光刻膠制造商核心的技術。

此外，由于光刻加工分辨率直接關系到芯片特征尺寸大小，而光刻膠的性能關系到光刻分辨率的大小。限制光刻分辨率的是光的干涉和衍射效應。光刻分辨率與曝光波長、數(shù)值孔徑和工藝系數(shù)相關。

光刻膠編碼 HS編碼:	3707100001 [類注] | [章注] | [子目注釋]
中文描述:	不含銀的感光乳液劑 （CIQ碼：301:液體）
英文描述:	Non--0--silver light-sensitive emulsion agent
申報要素:	0.品牌類型；1.出口享惠情況；2.用途；3.包裝；4.成分；5.是否含銀；6.品牌；7.型號；8.是否有感光作用（以下要素僅上海海關要求）9.GTIN；10.CAS
申報要素舉例:	/ 1.感光劑；2.用途:感光材料，用于噴墨制版機；3.包裝:瓶裝；A我們建議使用FuturrexPR1-500A,它有幾個優(yōu)點：比較好的解析度，比較好的線寬控制，反射比較少，不需要HMDS，RIE后去除容易等~4．求助，耐高溫的光阻是那一種。4.成分:重氮樹脂94%以上；5.無品牌；6.無型號
單位:	千克

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6，堅膜

堅膜也叫后烘，是為了去除由于顯影液的浸泡引起膠膜軟化、溶脹現(xiàn)象，能使膠膜附著能力增強，康腐蝕能力提高。堅膜溫度通常情況高于前烘和曝光后烘烤的溫度 100-140度 10-30min,7，顯影檢驗,光刻膠鉆蝕、圖像尺寸變化、套刻對準不良、光刻膠膜損傷、線條是否齊、陡，針KONG、小島。光刻膠去除半導體器件制造技術中，通常利用光刻工藝將掩膜板上的掩膜圖形轉移到半導體結構表面的光刻膠層中。

8刻蝕

就是將涂膠前所墊基的薄膜中沒有被光刻膠覆蓋和保護的那部分進行腐蝕掉，達到將光刻膠上的圖形轉移到下層材料的目的。濕法刻蝕，SIO2,AL, Poly-Si 等薄膜，干法腐蝕。

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(3)其他特性。品牌產地型號厚度曝光應用加工特性Futurrex美國NR71-1000PY0。光刻膠的其他特性包括膠的純度、膠內的金屬含量、膠的可應用范圍、膠的儲存有效期和膠的燃點。